IGBT QM50HAH

Описание IGBT QM50HAH

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM50HAH – это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Данный транзистор сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости). Модуль может включать встроенный диод для защиты от обратных напряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны вариации) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• QM50HAH (производитель: возможно, Toshiba, Mitsubishi или другой бренд, уточните datasheet)

Совместимые аналоги:

1. IRG4PH50UD (International Rectifier)
2. HGTG50N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
3. FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
4. IXGH50N60B3 (IXYS)
5. STGW50H60DF (STMicroelectronics)

Примечание: При замене проверяйте распиновку, характеристики и встроенный диод (если есть).

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется точный datasheet, уточните производителя или проверьте маркировку на корпусе.