IGBT QM50HG-H

Описание IGBT QM50HG-H

QM50HG-H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований. Используется в инверторах, источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других устройствах с высокой коммутационной нагрузкой.

Ключевые особенности:

• Высокая стойкость к перегрузкам
• Быстрое переключение с низкими потерями
• Встроенный диод для защиты от обратного напряжения
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Близкие по параметрам (с проверкой распиновки!):

• STGW50H60DF (STMicroelectronics)
• NGTB50N60FL2WG (ON Semiconductor)

Парт-номер для заказа:

• QM50HG-H (оригинальный код производителя)

Примечание по замене

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Распиновку (pinout)
• Наличие встроенного диода
• Рабочее напряжение и ток
• Тепловые параметры

Рекомендуется сверяться с даташитами перед установкой альтернативных моделей.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению – уточните!