IGBT QM50HY-H

Описание IGBT QM50HY-H

QM50HY-H — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой термостойкостью, что делает его пригодным для промышленных и коммерческих применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип прибора | N-канальный IGBT | | Макс. коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 100°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт (при 25°C) | | Время включения (t_on) | 40 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип. при I_C = 25 А) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Близкие по характеристикам:

• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• APT50GR60J (Microchip Technology)

Совместимые модули (если требуется замена в сборке):

• FF50R12RT4 (Infineon, в составе инверторного модуля)
• MIP50R12E1 (Mitsubishi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы и сервосистемы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы.