IGBT QM50TB-H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM50TB-H
Описание IGBT QM50TB-H
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM50TB-H — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для переключения высоких токов и напряжений в импульсных схемах. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Ключевые особенности:
- Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
- Встроенный быстрый диод для защиты от обратных токов.
- Надежная изоляция корпуса для удобства монтажа на радиатор.
- Работа в широком диапазоне температур.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В (возможны варианты) | | Ток коллектора (IC) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора импульсный (ICM) | до 100 А | | Мощность рассеивания (PD) | ~200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~1.8–2.5 В | | Время включения (ton) | ~30–50 нс | | Время выключения (toff) | ~100–150 нс | | Корпус | TO-3P (возможны аналоги) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Примечание: Точные параметры зависят от производителя и даташита.
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG30N60A4D (Renesas)
- STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
- IXGH50N60B3 (IXYS)
Совместимые модели в схемах:
- QM50TA-H (аналог с другим корпусом)
- QM75TB-H (более мощная версия)
- QM30TB-H (менее мощная версия)
Примечание
Перед заменой проверяйте распиновку, характеристики и рекомендации производителя, так как даже похожие модели могут иметь отличия в работе.
Если у вас есть даташит на конкретный модуль, уточните параметры по нему для точного подбора аналога.