IGBT QM50TX-H

Описание IGBT QM50TX-H

QM50TX-H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных схемах. Модуль предназначен для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-транзистор (NPT-технология) |
| Макс. коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги

• QM50TX-H (оригинальный номер производителя)
• QM50TA-H (аналог с другим креплением)

Совместимые модели (альтернативы от других брендов)

• Infineon: IKW50N60T (600 В, 50 А, TO-247)
• Fairchild/ON Semi: FGA50N60SMD (600 В, 50 А)
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD (600 В, 50 А)
• Toshiba: GT50J324 (600 В, 50 А)

Применение

• Инверторы и частотные приводы
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров. Для уточнения аналогов можно использовать платформы вроде Octopart или LCSC.

Нужна дополнительная информация по конкретному применению?