IGBT Qm75dy2h

Описание и технические характеристики IGBT Qm75dy2h

IGBT Qm75dy2h – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А
• Ток импульсный (I_CM): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при 75 А)
• Скорость переключения: высокая (несколько десятков кГц)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны варианты)

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя, но возможные варианты:

• Infineon: IKW75N120T2 (аналог по характеристикам)
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• IR (International Rectifier): IRG7PH35UD

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужно уточнить производителя или конкретное применение, укажите дополнительную информацию.

IGBT Qm75dy2h предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — Qm75dy2h. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #Qm75dy2h #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов