IGBT QM75E2Y-H

Описание IGBT-модуля QM75E2Y-H

QM75E2Y-H – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для применения в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, частотных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность, что делает его пригодным для промышленного и энергетического оборудования.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 75 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 50 А
• Импульсный ток коллектора (I_CP): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температура хранения: от -40°C до +125°C
• Температура перехода (T_j): до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (с базовой пластиной)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF75R12YT3, FF75R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi: CM75E2Y-12H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели в линейке производителя:

• QM50E2Y-H (50 А, 1200 В)
• QM100E2Y-H (100 А, 1200 В)
• QM150E2Y-H (150 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Модуль QM75E2Y-H обеспечивает высокую эффективность и надежность в условиях высоких нагрузок, что делает его популярным решением в силовой электронике.

Если вам нужны дополнительные данные (характеристики, схемы подключения или аналоги), уточните запрос!