IGBT QM75E2Y-HD

Описание IGBT QM75E2Y-HD

IGBT QM75E2Y-HD – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных систем управления. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Импульсных источниках питания
• Системах управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|---------------------------|
| Тип | IGBT + диод (встроенный обратный диод) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW75N120H3
• Fuji Electric: 2MBI75U2H-120
• Mitsubishi: CM75EY-12H
• ON Semiconductor: NGQ75N120H3
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2

Совместимые модели в схемах:

• QM75E2Y-1H (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
• QM75E2Y-2D (версия с более высоким током)
• QM100E2Y-HD (модель на 100 А)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить разводку выводов и параметры работы в конкретной схеме, так как аналоги могут отличаться по динамическим характеристикам и тепловым режимам.

Если вам нужна спецификация для конкретного производителя или дополнительная информация по применению, уточните детали.