IGBT QM75E3YH

Описание IGBT QM75E3YH

IGBT QM75E3YH – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль сочетает в себе высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и надежную конструкцию, что делает его подходящим для промышленных применений.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт (при 25°C)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: модульный (обычно TO-247 или аналогичный)

Тепловые характеристики:

• Термическое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 0,35 °C/Вт
• Термическое сопротивление переход-среда (R_thJA): 40 °C/Вт

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW75N120H3
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• ON Semiconductor: FGH75N120SMD

Парт-номера производителя:

• QM75E3YH (оригинальный)
• QM75E3YH-ND (версия для поставщиков, например, Digi-Key)
• QM75E3YH-TR (версия в ленте/катушке)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные силовые системы

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или спецификации от производителя), уточните модель производителя (Toshiba, Infineon и т. д.), так как маркировка может отличаться.