IGBT QM75HAH

Описание IGBT QM75HAH

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM75HAH – это мощный полупроводниковый ключевой транзистор, предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других преобразовательных устройствах. Данный модуль сочетает высокую коммутационную способность, низкие потери проводимости и эффективное тепловыделение.

Технические характеристики

• Тип транзистора: IGBT + диод (NPT)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,1 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Термосопротивление переход-корпус (R_thJC): 0,25 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированной базой (TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и аналоги

Оригинал:

• QM75HAH (основная модель)

Совместимые аналоги:

• Infineon: IKW75N120H3
• Fuji Electric: 2MBI75H-120
• Mitsubishi: CM75HA-24H
• STMicroelectronics: STGW75H120DF3
• ON Semiconductor: NGTB75N120H3WG

Альтернативные парт-номера (в зависимости от производителя):

• IRG7PH35UD (International Rectifier)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• IXGH75N120B3 (IXYS)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и сервосистемы
• Устройства плавного пуска

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик, особенно параметров V_CES, I_C и теплового сопротивления.