IGBT RM100HA-20F

Описание IGBT RM100HA-20F

IGBT RM100HA-20F – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модуль обладает высокой стойкостью к перегрузкам и низкими потерями проводимости, что делает его пригодным для промышленного применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 100 А) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW100N20T
  • Fuji Electric: 2MBI100U2A-060
  • Mitsubishi Electric: CM100DY-24H
  • STMicroelectronics: STGW100H20DF

• Прямые замены (схожие параметры):

  • RM100HA-24F (аналог на 240 В)
  • RM75HA-20F (75 А, 200 В)
  • RM150HA-20F (150 А, 200 В)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения, уточните детали!