IGBT SH2A027-1

Описание IGBT SH2A027-1

IGBT SH2A027-1 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

• Тип полупроводника: IGBT + диод
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 25–50 А (зависит от условий охлаждения)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ≤ 1,8 В
• Температура перехода (T_j): -40 °C … +150 °C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,3 °C/Вт
• Корпус: TO-247 или аналогичный (зависит от производителя)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• SH2A027-1A (модификация с улучшенными характеристиками)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Совместимые модели в схемах:

• SKM200GB12T4 (в составе модулей Semikron)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• FF100R12KS4 (Infineon)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и характеристики с datasheet конкретного производителя.