IGBT SKD51/12

Описание IGBT модуля SKD51/12

SKD51/12 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT + диод (полумостовая конфигурация) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 51 А (при 25°C) | | Ток при 80°C (I_C) | ~35 А | | Пиковый ток (I_CP) | 102 А | | Мощность (P_tot) | до 200 Вт (с учетом охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | модуль с изолированным основанием (например, SEMiX или аналоги) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги:

• SKM51GB12T4 (Semikron)
• FF50R12RT4 (Infineon)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)

Частично совместимые замены:

• SKM50GB12T4 (Semikron, 50А)
• F4-50R12W1T4 (Fuji Electric)
• BSM50GB120DN2 (Eupec/Infineon)

Применение

Модуль SKD51/12 используется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Управлении электродвигателями

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и параметры управления, так как у разных производителей могут быть отличия в схемотехнике. Для точной идентификации лучше использовать даташит оригинального производителя (Semikron, Infineon и др.).

Если вам нужна более детальная информация по конкретному аналогу, укажите производителя или сферу применения.