IGBT skkt162/16e
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT skkt162/16e
Описание IGBT SKKT 162/16E
SKKT 162/16E – это силовой полупроводниковый модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с обратными диодами, собранные в полумостовой (Half-Bridge) или другой конфигурации.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1600 В | | Номинальный ток (IC) | 162 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | 324 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | До 900 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~2,1 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~100 нс | | Время выключения (toff) | ~500 нс | | Температура эксплуатации (Tj) | от -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (обычно SEMIKRON SKiiP или аналогичный) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги и замены:
- SEMIKRON SKKT 162/16E (оригинальный производитель)
- SEMIKRON SKM 162GB16D (близкий аналог в другом корпусе)
- Infineon FF150R12KE3 (аналог по параметрам)
- Mitsubishi CM162DY-24H (возможная замена)
- Fuji Electric 2MBI200L-060 (альтернатива с близкими характеристиками)
Совместимые модули в других сериях:
- SKM 162GB12T4 (1200 В, 162 А)
- SKM 200GB16D (1600 В, 200 А) – с запасом по току
- SKM 100GB12T4 (1200 В, 100 А) – с меньшим током
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Импульсные источники питания
Если вам нужна более точная замена, укажите условия эксплуатации (ток, охлаждение, схема включения).