IGBT SKM100GB123DE

Описание IGBT модуля SKM100GB123DE

SKM100GB123DE – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль объединяет IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в едином корпусе с изолированным основанием для удобства монтажа на радиатор.

Основные технические характеристики

Общие параметры:

• Производитель: Semikron
• Тип модуля: IGBT + диод (DUAL)
• Корпус: SEMiX® 2 Press-Fit (изолированное основание)
• Класс напряжения: 1200 В
• Номинальный ток (IC @100°C): 100 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 200 А

Параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс

Параметры диода (FWD):

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (тип.)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые характеристики:

• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C
• Термосопротивление (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт

Механические характеристики:

• Монтаж: винтовой (M5)
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM100GB123D (предыдущая версия)
• SKM100GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM100GAL123D (альтернатива с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12RT4
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120

Применение

• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как параметры аналогов могут незначительно отличаться.

Если нужна дополнительная информация (например, datasheet), уточните!