IGBT SKM22GD123D

Описание и технические характеристики IGBT SKM22GD123D

Описание:
Модуль SKM22GD123D — это IGBT-модуль производства компании SEMIKRON, предназначенный для использования в силовой электронике. Он сочетает в себе высоковольтный IGBT-транзистор и антипараллельный диод, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других приложений с высокими токами и напряжениями.

Основные характеристики:

• Тип: IGBT-модуль (NPT-IGBT)
• Конфигурация: 2 в 1 (одиночный полумост)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 22 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C при 80°C): ~15 А
• Импульсный ток (I_CP): 44 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 160 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ≤ 2,1 В (при I_C = 22 А)
• Время включения (t_on): ~40 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: SEMiX 2 (изолированный)

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Ток диода (I_F): 22 А
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1,8 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM22GAL123D (аналог с улучшенными параметрами)
• SKM22GB123D (аналогичные характеристики, другой корпус)
• SKM25GD123D (25А, 1200В, совместим по выводам)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KE3 (100A, 1200V, но может использоваться в схожих схемах)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (50A, 1200V, частичная совместимость)
• Fuji Electric: 2MBI100L-120 (100A, 1200V, для более мощных систем)

Примечание:
При замене модуля на аналог необходимо учитывать электрические характеристики, корпус и схему подключения. Рекомендуется проверять документацию производителя для полной совместимости.

Если нужны дополнительные параметры (тепловое сопротивление, графики нагрузочных характеристик и т. д.), уточните!