IGBT skm75gal123d

Артикул: 300203
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT skm75gal123d
Описание IGBT модуля SKM75GAL123D
Производитель: Semikron (или другой, уточните производителя, так как SKM-серия может относиться к разным брендам)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (NPT/Trench technology)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.
Технические характеристики
-
Напряжение:
- Коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Импульсное напряжение (VCESP): до 1320 В
-
Ток:
- Постоянный ток коллектора (IC при 25°C): 75 А
- Максимальный ток коллектора (ICM): 150 А (кратковременно)
-
Потери:
- Потери проводимости (Ptot): ~2.5 Вт (при 25°C)
- Динамические потери (ESW): ~3-5 мДж/импульс
-
Температурный режим:
- Рабочая температура: -40°C до +150°C
- Корпус: изолированный (Isolation voltage: 2500 В)
-
Встроенные диоды:
- Обратный диод (FWD) с VRRM = 1200 В, IF = 75 А
-
Геометрия и монтаж:
- Тип корпуса: модуль с винтовыми клеммами (например, SEMiX или аналогичный)
Парт-номера (альтернативы и аналоги)
-
Оригинальные замены:
- SKM75GB123D
- SKM75GAL124D (на 600 В)
- SKM75GAR123D (с улучшенными динамическими параметрами)
-
Совместимые модели от других производителей:
- Infineon: FF75R12RT4
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75L-120
-
Аналоги с близкими параметрами:
- SKM50GAL123D (50 А)
- SKM100GAL123D (100 А)
Примечания
- Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в datasheet.
- Модули с маркировкой "D" обычно имеют встроенный температурный датчик.
- Для точного подбора аналога учитывайте параметры динамических потерь и тепловое сопротивление.
Если нужна точная информация, уточните производителя (Semikron, IXYS, Powerex и др.) или прикрепите datasheet.