IGBT SKM75GB121D

Описание IGBT-модуля SKM75GB121D

SKM75GB121D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для применения в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность в работе.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C) / 150 А (пиковый)
• Ток коллектора (I_C при 80°C): ~50 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.1 В (при 75 А)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Тип корпуса: SEMiX 2 (с изолированным основанием)
• Рабочая температура: -40°C … +150°C

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение диода (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 75 А

Управление:

• Напряжение затвора (V_GE): ±20 В (рекомендуемое ±15 В)
• Заряд затвора (Q_g): 500 нКл

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (более новая версия)
• Прямые аналоги от других производителей:
  • Infineon: FF75R12KT3
  • Mitsubishi: CM75DY-12H
  • Fuji: 2MBI75L-120

Совместимые модули (по характеристикам):

• SKM50GB121D (50 А, 1200 В)
• SKM100GB121D (100 А, 1200 В)
• SKM75GB128D (75 А, 1700 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Модуль SKM75GB121D обеспечивает высокую эффективность и долговечность в условиях высоких нагрузок. Для замены рекомендуется проверять характеристики и схему подключения, так как аналоги могут отличаться параметрами управления.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или драйверам для этого IGBT – уточните запрос!