IGBT SKM75GB123DE

Описание IGBT модуля SKM75GB123DE

SKM75GB123DE – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и приводов. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Основные области применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 x IGBT + диоды) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC | 75 А (при 80°C) | | Пиковый ток (ICM) | 150 А | | Мощность (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 45 нс | | Время выключения (toff) | 320 нс | | Диод обратного восстановления (trr) | 120 нс | | Температура хранения | -40°C ... +125°C | | Температура корпуса (Tvj) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 K/W |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера Semikron:

• SKM75GB123D (устаревшая версия)
• SKM75GB12T4 (альтернатива с улучшенными параметрами)
• SKM75GB12T4E (модернизированная версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75L-120

Особенности и примечания

• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры.
• Низкие потери проводимости и переключения.
• Оптимизированная конструкция для снижения паразитной индуктивности.
• Совместим с драйверами Semikron (SKHI, SKYPER), а также с решениями от Infineon (1ED, 2ED).

Рекомендуется использовать с радиаторами и термопастой для эффективного отвода тепла. Перед заменой на аналог проверьте распиновку и параметры управления затвором.

Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос!