IGBT SKM800GA123D

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKM800GA123D
Описание IGBT модуля SKM800GA123D
SKM800GA123D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, таких как:
- Промышленные приводы
- Источники питания
- Инверторы для электродвигателей
- Установки для возобновляемой энергетики (солнечные и ветровые системы)
Модуль выполнен в стандартном корпусе SEMiX® 3, обеспечивающем хорошие теплоотводящие свойства и механическую надежность.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 80°C) | 800 А |
| Импульсный ток (ICM) | 1600 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 3300 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2,1 В (при 800 А) |
| Время включения (ton) | 95 нс |
| Время выключения (toff) | 480 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +175°C |
| Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0,03 К/Вт |
| Корпус | SEMiX® 3 |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от Semikron:
- SKM800GB123D (с улучшенными характеристиками)
- SKM800GA128D (1200 В, 800 А, другая версия)
- SKM800GA125D (альтернативная модификация)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF800R12IE4
- Mitsubishi Electric: CM800HA-24H
- Fuji Electric: 2MBI800VX-120-50
Особенности и применение
- Высокая перегрузочная способность
- Низкие динамические потери
- Встроенная система температурного контроля (NTC-термистор в некоторых версиях)
- Оптимизирован для частотных преобразователей и мощных инверторов
Если требуется модуль с подобными характеристиками, но другим напряжением или током, можно рассмотреть серии SKM (Semikron), EconoDUAL™ (Infineon) или NX (Mitsubishi).
Нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения?