IGBT TD250N16KOF

IGBT TD250N16KOF: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) TD250N16KOF – это мощный транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1600 В и номинальным током 250 А. Предназначен для применения в высоковольтных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для силовой электроники.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 250 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 500 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Открывающее напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.07 К/Вт | | Корпус | Module (обычно TO-247 или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• Infineon: FF250R16KE3, FZ250R16KE3
• Mitsubishi (Renesas): CM250DY-24NFH
• Fuji Electric: 2MBI250U2A-060
• SEMIKRON: SKM250GB16D

Совместимые модели (по параметрам):

• TD200N16KOF (200 А, 1600 В)
• TD300N16KOF (300 А, 1600 В)
• TD250N12KOF (250 А, 1200 В)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Тяговые преобразователи
• Управление электродвигателями

Если вам нужна более точная информация по замене или datasheet, уточните производителя модуля (возможно, это Toshiba, Infineon или другой бренд).