IGBT TM15T3AH

Описание IGBT TM15T3AH

IGBT TM15T3AH — это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах. Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип | NPT IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 300 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 30 А | | Мощность (P_tot) | 50 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤1.7 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 130 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-220F (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Эквиваленты и аналоги:

• IRG4PC30U (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N120B3D (Microsemi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• TM10T3AH (10 А, 300 В)
• TM20T3AH (20 А, 300 В)
• TM15T4AH (15 А, 400 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование

Примечание

Перед заменой на аналог проверяйте распиновку и характеристики, особенно напряжение V_CES и ток I_C. Рекомендуется использовать оригинальные компоненты в критичных схемах.

Если нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!