IGBT TM200DZM

Описание IGBT TM200DZM

IGBT TM200DZM – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике: инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и импульсных источниках питания.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью. Корпус обеспечивает хороший теплоотвод и совместимость с различными системами охлаждения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (возможны версии на 1200 В) |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | ~120 А (при 100°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт (с радиатором) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,0–2,5 В (при номинальном токе)|
| Время включения (t_on) | 60–100 нс |
| Время выключения (t_off) | 200–400 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N60T, IKW40N60H3
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-060
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• SEMIKRON: SKM200GB124D
• IXYS: IXGH48N60C3

Совместимые модули (в зависимости от схемы):

• Полумостовые модули: FS200R06KE3 (Infineon), CM200DU-12NF (Mitsubishi)
• Трехфазные инверторы: SKiiP 2403GB12-4DW (SEMIKRON)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташит и параметры схемы, так как характеристики могут различаться в зависимости от производителя.

Нужна дополнительная информация?