IGBT TM200PZ-2H

Описание IGBT TM200PZ-2H

IGBT TM200PZ-2H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других мощных электронных устройствах. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение (VCES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (IC) | 200 А | | Ток импульсный (ICM) | до 400 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | до 600 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2,1 В (при 100 А) | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~200 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (PZ-тип) | | Крепление | Винтовое (M6) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• TM200PZ-2H (оригинальный номер)
• CM200DY-24NF (от Powerex)
• MBN200H12E4 (Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (Infineon)
• 2MBI200N-120 (Fuji Electric)

Совместимые модели в схожих линейках:

• TM100PZ-2H (100 А, 1200 В)
• TM300PZ-2H (300 А, 1200 В)
• TM200PZ-2G (аналогичный, но с другим теплоотводом)

Примечания

• Для надежной работы рекомендуется использовать соответствующий радиатор и систему охлаждения.
• Перед заменой на аналог следует уточнить распиновку и характеристики управления затвором.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.