IGBT TM55DZ-24

Описание IGBT модуля TM55DZ-24

TM55DZ-24 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током 55 А, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери на переключение, высокую надежность и компактную конструкцию.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 55 А
• Ток коллектора (импульсный, I_CP): 110 А
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,1 В (при I_C = 55 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,35 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40 °C до +150 °C
• Корпус: модульный, изолированный

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI55X-120
• Mitsubishi: CM55DY-24H
• Infineon: FF55R12RT4
• Semikron: SKM55GB12T4
• Powerex (Mitsubishi): CM55DZ-24H

Совместимые модули (по характеристикам):

• TM50DZ-24 (50 А, 1200 В)
• TM75DZ-24 (75 А, 1200 В) – с запасом по току
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется сверяться с datasheet конкретного производителя.