IGBT TT250N12K0C

Описание IGBT TT250N12K0C

TT250N12K0C – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 250 А. Модуль предназначен для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль выполнен в изолированном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые характеристики и защиту от пробоя.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 250 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 150 А | | Импульсный ток (I_CM) | 500 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 250 А) | | Время включения (t_on) | 90 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Максимальная температура перехода (T_j) | 175°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Корпус | TO-264 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF250R12KT4, FF300R12KT4
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• SEMIKRON: SKM300GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120

Похожие модели от других производителей:

• IXYS: IXGN250N120
• STMicroelectronics: STGW250H120DF2
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL3WG

Примечания

• Модуль TT250N12K0C имеет встроенный антипараллельный диод, что упрощает использование в инверторных схемах.
• Для надежной работы рекомендуется использовать эффективное охлаждение (радиаторы + принудительный обдув).
• Перед заменой на аналог следует проверить разводку выводов и электрические параметры.

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам, уточните детали.