IGBT UM150CDY9

IGBT UM150CDY9: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT UM150CDY9 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных и силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также надежной конструкцией с изолированным корпусом.

Применяется в:

• Частотных преобразователях
• Инверторах
• Сварочном оборудовании
• Системах управления электродвигателями
• Промышленных источниках питания

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | 300 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,4 В (при I_C = 150 А) | | Время включения (t_on) | 90 нс | | Время выключения (t_off) | 380 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,15 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | модульный (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS IXGH150N120B3
• Infineon FF150R12RT4
• Mitsubishi CM150DY-12H
• Semikron SKM150GB12T4
• Fuji Electric 2MBI150U4A-120

Парт-номера производителей:

• UM150CDY9 (оригинальный)
• UM150CDY-9 (альтернативное написание)
• UM150CDY (базовая серия)

Заключение

Модуль UM150CDY9 подходит для замены аналогов с близкими характеристиками. При выборе альтернативы важно учитывать параметры напряжения, тока и теплового сопротивления.

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется свериться с даташитом производителя или использовать специализированные кросс-ссылочные базы (например, Octopart, Datasheet Archive).

Нужна дополнительная информация? Задавайте вопросы!