AGQ200A12Z

Описание и технические характеристики AGQ200A12Z

AGQ200A12Z – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и промышленных преобразователях частоты.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: NPT IGBT с антипараллельным диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 120 А (при 100°C)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,2 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 60 нс / 200 нс
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3-контактный)

Встроенный диод (FWD):

• Напряжение диода (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 200 А

Парт-номера и совместимые аналоги:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW75N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
  • Mitsubishi Electric: CM200DY-12S
  • SEMIKRON: SKM200GB12T4

• Совместимые модули (в схожих корпусах и параметрах):

  • AGQ200A12D (аналог с другим корпусом)
  • AGQ150A12Z (150A, 1200V)
  • AGP200A12Z (альтернативная серия)

Область применения:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры или схемы включения, уточните детали.