FF600R12KF4
тел. +7(499)347-04-82
Описание FF600R12KF4
Описание модуля IGBT FF600R12KF4
FF600R12KF4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен по технологии TrenchStop и предлагает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также отличную устойчивость к перегрузкам.
Основные области применения:
- Промышленные приводы
- Инверторы и преобразователи частоты
- Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы, ветрогенераторы)
- Электромобили и зарядные станции
- Сварочное оборудование
Технические характеристики FF600R12KF4
| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 600 А | | Импульсный ток (ICP) | 1200 А | | Мощность (Ptot) | 2700 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,75 В | | Время включения (ton) | 95 нс | | Время выключения (toff) | 520 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,03 К/Вт | | Диапазон температур (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 62 мм (EconoDUAL™ 3) | | Вес | 580 г |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги Infineon:
- FF600R12KF4C (улучшенная версия)
- FF600R12KT4 (альтернативная серия)
- FF600R12ME4 (модуль с другим типом корпуса)
Аналоги других производителей:
- Mitsubishi: CM600DY-12NF
- Fuji Electric: 2MBI600U4A-120
- SEMIKRON: SKM600GB12T4
Совместимые модели (по характеристикам):
- FF450R12KT4 (450 А, 1200 В)
- FF800R12KE3 (800 А, 1200 В)
- FF400R12KT3 (400 А, 1200 В)
Примечание
При замене модуля на аналог необходимо учитывать:
- Распиновку и конструктивные особенности корпуса
- Рабочий ток и напряжение системы
- Требования к охлаждению (радиатору)
Для точного подбора рекомендуется обращаться к официальной документации Infineon или консультантам.