NT20SST161EV3

Описание

NT20SST161EV3 — это высокоэффективный силовой IGBT-транзистор с диодом обратного хода (FRD), предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других мощных электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую надежность, низкие потери при переключении и хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

• Тип: IGBT-модуль (NPT, Trench-Gate) + FRD
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 40 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 125 Вт
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247
• Встроенный диод: Да (Fast Recovery Diode)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера (NXP/ON Semiconductor):

• NT20SST161EV3
• NT20SST161 (предыдущая версия)

Совместимые аналоги:

• Infineon: IKW20N60T
• STMicroelectronics: STGW20NC60V
• Fairchild (ON Semi): FGH20N60
• IXYS: IXGH20N60B3
• Toshiba: GT20J101

Применяемые модели

Модуль используется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Системах управления двигателями (ПЧ, сервоприводы)
• Сварочных инверторах

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.