V-155-1C25

Описание V-155-1C25

V-155-1C25 – это высоковольтный силовой транзистор (IGBT или MOSFET), предназначенный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями и надежностью в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT / MOSFET (уточнить по datasheet) |
| Макс. напряжение (V_CE / V_DSS) | 600 В / 650 В (примерно) |
| Ток коллектора/стока (I_C / I_D) | 25–50 А (зависит от модели) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 100–200 Вт |
| Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный |
| Темп. диапазон | -40°C до +150°C |
| Время включения/выключения | нс/мкс (уточнить) |

(Точные параметры могут отличаться – необходимо проверять в официальном datasheet производителя.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут включать:

Прямые аналоги:

• IRGP4063DPBF (International Rectifier)
• FGH40N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N60C2D1 (IXYS)

Совместимые модели:

• V-серия (V-155-1C20, V-155-1C30 – с близкими параметрами)
• HGTG20N60A4D (если корпус и характеристики совпадают)

(Важно: перед заменой проверять распиновку, напряжение и токи!)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Управление электродвигателями

Для точной информации рекомендуется найти datasheet по коду V-155-1C25 или уточнить у производителя (Infineon, Mitsubishi, Toshiba и др.).

Если у вас есть дополнительные данные (фото, маркировка), можно уточнить параметры!