IXYS 255-I2101

Описание и технические характеристики IXYS 255-I2101

IXYS 255-I2101 – это высоковольтный, высокоскоростной IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, промышленных системах управления и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 190 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 25 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• IXYS IXGH25N120
• IRG4PC50U (International Rectifier, 600V, но схожий ток)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)

Совместимые модели (с проверкой по параметрам):

• IXGH25N120A (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXGH24N170 (более высокое напряжение, но меньший ток)
• IXGH26N170 (аналог с напряжением 1700 В)

Применение:

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Промышленные приводы

Примечание:

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как некоторые аналоги могут иметь отличия в динамических параметрах или тепловых режимах.

Если вам нужен более точный аналог, укажите конкретное применение – помогу подобрать оптимальный вариант.