IXYS 40N60B2D1

Описание и технические характеристики IXYS 40N60B2D1

IXYS 40N60B2D1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением 600 В и током стока до 40 А. Он предназначен для высоковольтных и мощных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигатели и системы управления энергопотреблением.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D): 40 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.085 Ом (при V_GS = 10 В)
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Заряд затвора (Q_g): 70 нКл
• Тип корпуса: TO-247

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: IPW60R041C6
• STMicroelectronics: STW40N60DM2
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD
• Fairchild (ON Semi): FCH40N60

Прямые аналоги от IXYS:

• IXYS IXFH40N60P
• IXYS IXFN40N60P3

Эти транзисторы имеют схожие параметры и могут использоваться в качестве замены в большинстве схем, но перед заменой рекомендуется проверять документацию на соответствие по вольт-амперным характеристикам и динамическим параметрам.

Если нужна более точная замена, лучше свериться с даташитами или уточнить требования конкретной схемы.