IXYS 44-12n1b

IXYS 44-12N1B – Описание и технические характеристики

Описание

IXYS 44-12N1B – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, промышленной автоматике и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой надежностью, низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения.

Ключевые характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 8 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1.5 Ом (при 10 В V_GS) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт | | Корпус | TO-247 | | Диапазон рабочих температур | -55°C ... +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

• IXYS: 44-12N1, 44N12B1
• Infineon: IXFH8N120
• STMicroelectronics: STW8N120
• ON Semiconductor: NTH8N120
• Fairchild (ON Semi): FCA8N120

Совместимые модели

• IXYS 44-12N1, 44N12B1
• IXFH8N120 (Infineon)
• STW8N120 (STMicroelectronics)
• NTH8N120 (ON Semiconductor)
• FCA8N120 (Fairchild/ON Semi)

Эти транзисторы могут заменять друг друга в большинстве схем, но перед использованием рекомендуется уточнять параметры в даташите, особенно в критичных по току и напряжению приложениях.

Если требуется более точная замена, стоит учитывать:

• Напряжение V_DS (1200 В)
• Ток I_D (8 А)
• Корпус (TO-247)

Для уточнения характеристик можно обратиться к официальному даташиту IXYS или альтернативных производителей.