IXYS IXFH14N100Q2

IXYS IXFH14N100Q2 – Описание и технические характеристики

Описание:

IXFH14N100Q2 – это N-канальный MOSFET транзистор на основе кремниевой технологии, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств.

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 1000 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 14 А |
| Импульсный ток стока (I_DM) | 56 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) при V_GS=10V | 0.75 Ом |
| Потребляемая мощность (P_D) | 330 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4.0 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 2100 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS (Littelfuse): IXFH14N100Q, IXFH14N100, IXFN14N100
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IPW90R120C3
  • STMicroelectronics: STW14NK100Z
  • ON Semiconductor: FCH14N100
  • Vishay: IRFP460

Совместимые модели (замена возможна с проверкой параметров):

• IXFH12N100Q
• IXFN12N100
• IXTH14N100
• IRFP460 (с ограничениями по току и напряжению)

Данный MOSFET подходит для мощных преобразователей, сварочных инверторов, высоковольтных источников питания и других приложений, где требуется надежность и эффективность.

Если нужны дополнительные параметры (графики, частотные характеристики), уточните запрос.