IXYS IXFH26N50P

Описание и технические характеристики IXYS IXFH26N50P

IXFH26N50P – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 500 В и током стока 26 А. Он предназначен для высокоэффективных силовых приложений, включая импульсные источники питания (SMPS), инверторы, двигательные приводы и другие высоковольтные системы.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)) – 0.23 Ом (при V_GS = 10 В)
• Высокая скорость переключения благодаря низким входным и выходным емкостям
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Rated)
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода
• Прямая совместимость с рядом аналогов от других производителей

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Макс. ток стока (I_D) | 26 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.23 Ом (при V_GS = 10 В) | | Макс. напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл | | Тип корпуса | TO-247 | | Диод обратного восстановления | Встроенный (Body Diode) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (включая замену от других производителей):

• Infineon – IPP60R190P6 (600 В, 20 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics – STW26NM50 (500 В, 26 А, R_DS(on) = 0.21 Ом)
• Vishay – IRFP450 (500 В, 14 А, R_DS(on) = 0.4 Ом) менее мощный
• Fairchild (ON Semiconductor) – FQA26N50 (500 В, 26 А, R_DS(on) = 0.22 Ом)

Похожие модели IXYS:

• IXFH22N50P (500 В, 22 А, R_DS(on) = 0.25 Ом)
• IXFH32N50P (500 В, 32 А, R_DS(on) = 0.18 Ом)
• IXFH40N50P (500 В, 40 А, R_DS(on) = 0.12 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• Высоковольтные преобразователи

Если требуется более мощная или высокочастотная замена, можно рассмотреть MOSFET с меньшим R_DS(on) или SiC-транзисторы для улучшенного КПД.