IXYS IXFH40N30

IXYS IXFH40N30: Описание и технические характеристики

Описание

IXYS IXFH40N30 — это N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), высокой скоростью переключения и надежностью в условиях высоких температур.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Системы управления мощностью

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 40 А | | Импульсный ток стока (I_DM) | 160 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 40 мОм (при V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Емкость затвора (C_iss) | 3300 пФ | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 55 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C ... +175°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера IXFH40N30

• IXFH40N30 (основная модель)
• IXFH40N30P (модификация с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги

• IRFP450 (International Rectifier)
• STW40N30 (STMicroelectronics)
• FQP40N30 (Fairchild/ON Semiconductor)
• APT40M30J (Microsemi)

При замене аналогами важно учитывать:

• Напряжение V_DSS (не менее 300 В)
• Ток I_D (не менее 40 А)
• Сопротивление R_DS(on) (чем ниже, тем лучше)

Заключение

IXFH40N30 — мощный и надежный MOSFET, подходящий для импульсных преобразователей и силовых ключей. Благодаря низкому R_DS(on) и высокой устойчивости к перегрузкам, он обеспечивает эффективное управление мощностью.

Если требуется замена, рекомендуется проверять datasheet аналога на соответствие ключевым параметрам.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!