IXYS IXFK48N50Q

IXYS IXFK48N50Q – Описание и технические характеристики

Описание

IXFK48N50Q – это N-канальный мощный MOSFET транзистор производства IXYS (ныне часть Littelfuse), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• Инверторов и преобразователей
• Управления двигателями
• Высоковольтных систем

Корпус TO-264 (3-контактный) обеспечивает эффективное теплоотведение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (VDS) | 500 В | | Макс. ток (ID) | 48 А (при 25°C) | | Сопротивление (RDS(on))| 0.065 Ом (при VGS=10 В) | | Мощность (PD) | 300 Вт | | Напряжение затвора (VGS)| ±20 В | | Заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff)| 125 нс | | Корпус | TO-264 | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (сопоставимые характеристики):

• IXFK44N50 (44 А, 500 В, RDS(on)=0.075 Ом)
• IXFK52N50 (52 А, 500 В, RDS(on)=0.055 Ом)
• IXFH48N50 (48 А, 500 В, корпус TO-247)

Альтернативы от других производителей:

• Infineon IPA60R199CP (600 В, 22 А, RDS(on)=0.199 Ом)
• STMicroelectronics STW48N50 (500 В, 48 А, RDS(on)=0.065 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQA50N50 (500 В, 50 А, RDS(on)=0.065 Ом)

Совместимые модели и замена

Транзистор можно заменить на аналоги с близкими параметрами (VDS ≥ 500 В, ID ≥ 40 А, низкое RDS(on)). При замене следует учитывать:

• Напряжение затвора (VGS)
• Тепловые характеристики (корпус и рассеиваемая мощность)
• Динамические параметры (Qg, ton/toff)

Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты и учитывать конкретную схему применения.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению – уточните условия использования!