IXYS IXFN180N10

IXYS IXFN180N10 – Описание и технические характеристики

Описание:
IXFN180N10 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор с низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)), разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей, драйверов двигателей и других силовых приложений. Отличается высокой перегрузочной способностью, устойчивостью к высоким температурам и низкими динамическими потерями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 180 A | | Максимальный импульсный ток (I_DM) | 720 A | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) при V_GS = 10 В | 0.0095 Ом (тип.) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4.0 В (тип.) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 500 Вт | | Тип корпуса | TO-247 (IXFN) | | Диапазон рабочих температур | -55°C … +175°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги и замены:

• Infineon IPP180N10N3 G
• Vishay SUP50010E-GE3
• STMicroelectronics STP160N10F7
• ON Semiconductor NTMFS5C604NL

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IXFN140N10 (140 A, 100 В)
• IXFN200N10 (200 A, 100 В)
• IXFN170N07P (170 A, 75 В)
• IXFN170N08 (170 A, 80 В)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей (H-мосты)
• Инверторы и преобразователи
• Промышленные силовые системы

Транзистор IXFN180N10 подходит для жестких условий эксплуатации благодаря высокой перегрузочной способности и надежной конструкции.