IXYS IXFN70N60Q2

IXYS IXFN70N60Q2 – Описание и технические характеристики

Описание:

IXFN70N60Q2 – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 600 В и током стока 70 А, разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• Инверторов и драйверов двигателей
• Высоковольтных преобразователей
• Промышленного и автомобильного оборудования

Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, а конструкция с низким зарядом затвора позволяет минимизировать потери при переключении.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение (VDS) | 600 В |
| Макс. ток стока (ID) | 70 А |
| Сопротивление (RDS(on)) | 0.065 Ом (при VGS=10 В)|
| Заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) |
| Мощность (PD) | 520 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от IXYS (Infineon):

• IXFN70N60P (похожие параметры, но другая серия)
• IXFN60N60Q3 (аналог с близкими характеристиками)
• IXFH70N60Q3 (альтернатива в корпусе TO-264)

Аналоги от других производителей:

• IRFP4668PbF (Infineon) – 60 В, 130 А, 0.036 Ом
• STW70N60DM2 (STMicroelectronics) – 600 В, 70 А, 0.06 Ом
• FGH60N60SMD (Fairchild/ON Semi) – 600 В, 60 А, 0.08 Ом

Примечание:

При замене на аналог важно учитывать не только напряжение и ток, но и динамические параметры (заряд затвора, емкости, скорость переключения).

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами или использовать Infineon Part Finder Tool.