IXYS IXFP10N60P

IXYS IXFP10N60P — это N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,75 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 30 нКл |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 50 нс |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• IXFP10N60P (оригинальный номер от IXYS)
• IXFH10N60P (аналог в другом корпусе)
• IRFP460 (частично совместим, но с другими параметрами)

Совместимые и аналогичные модели:

1. IXYS IXFH10N60P (аналог в корпусе TO-247)
2. Infineon IPP60R099CPA (600 В, 11 А, R_DS(on) = 0,099 Ом)
3. STMicroelectronics STP10NK60ZFP (600 В, 10 А, R_DS(on) = 0,65 Ом)
4. Fairchild (ON Semiconductor) FQP10N60C (600 В, 10 А, R_DS(on) = 0,73 Ом)
5. IR (Infineon) IRF840 (менее мощный, 500 В, 8 А)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Системы управления энергией

Примечание: При замене на аналог необходимо учитывать различия в динамических характеристиках и тепловых режимах.