IXYS Ixgh30n120b3d1

Описание и технические характеристики IXYS IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1 – это N-канальный MOSFET-транзистор на основе карбида кремния (SiC), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Обладает низкими потерями при переключении и высокой термостабильностью, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, промышленного оборудования и электромобилей.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (SiC) |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 30 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 60 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 80 мОм (при V_GS = 20 В) |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4,5 В (тип.) |
| Макс. мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
| Тип диода в корпусе | Встроенный быстрый диод (Body Diode) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели)

• IXGH30N120B3 (базовая версия без "D1")
• IXGH32N170 (1700 В, 32 А)
• IXGH40N120B3 (40 А версия)
• Infineon IMZ120R030M1H (SiC MOSFET, 1200 В, 30 А)
• Cree (Wolfspeed) C3M0065090D (SiC MOSFET, 900 В, 30 А)

Производители с похожими моделями

• STMicroelectronics (STW30N120K5)
• Microsemi (Microchip) (APTM30M120J)
• ROHM (SCT30N120)

Применение

• Высоковольтные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Зарядные устройства для электромобилей
• Промышленные преобразователи частоты

Примечание

При замене на аналог рекомендуется проверять параметры R_DS(on), V_GS(th) и динамические характеристики, так как они могут влиять на работу схемы.

Если нужны дополнительные детали (графики, схемы подключения), уточните!