IXYS IXGN200N60A

IXYS IXGN200N60A
Артикул: 376871

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IXYS IXGN200N60A

IXYS IXGN200N60A – Описание и технические характеристики

Описание:

IXGN200N60A – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и током, разработанный для мощных импульсных и линейных применений. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, управлении электродвигателями и других высоковольтных системах.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 600 В | | Макс. ток стока (ID) при 25°C | 200 А | | Макс. импульсный ток (IDM) | 400 А | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.028 Ом (при VGS = 15 В) | | Рассеиваемая мощность (PD) | 750 Вт | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Емкость затвора (Ciss) | 12 000 пФ | | Корпус | TO-264 (изолированный) | | Температура перехода | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги от других производителей:

  1. Infineon – IPW60R045CP
  2. STMicroelectronics – STW75N60M2
  3. ON Semiconductor – FCH200N60F
  4. Vishay – IRFP4568PBF

Близкие по параметрам модели IXYS:

  • IXGN170N60A (170 А, 600 В)
  • IXGN250N60A (250 А, 600 В)
  • IXGN320N60A (320 А, 600 В)

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности монтажа (корпус, изоляция).

Товары из этой же категории