IXYS IXGN200N60A

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXGN200N60A
IXYS IXGN200N60A – Описание и технические характеристики
Описание:
IXGN200N60A – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и током, разработанный для мощных импульсных и линейных применений. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, управлении электродвигателями и других высоковольтных системах.
Основные характеристики:
| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 600 В | | Макс. ток стока (ID) при 25°C | 200 А | | Макс. импульсный ток (IDM) | 400 А | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.028 Ом (при VGS = 15 В) | | Рассеиваемая мощность (PD) | 750 Вт | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Емкость затвора (Ciss) | 12 000 пФ | | Корпус | TO-264 (изолированный) | | Температура перехода | от -55°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые аналоги:
Прямые аналоги от других производителей:
- Infineon – IPW60R045CP
- STMicroelectronics – STW75N60M2
- ON Semiconductor – FCH200N60F
- Vishay – IRFP4568PBF
Близкие по параметрам модели IXYS:
- IXGN170N60A (170 А, 600 В)
- IXGN250N60A (250 А, 600 В)
- IXGN320N60A (320 А, 600 В)
Примечание:
При замене на аналог необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности монтажа (корпус, изоляция).