IXYS IXGN60N60C2D1

Описание

IXYS IXGN60N60C2D1 — это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии. Он предназначен для мощных импульсных преобразователей, инверторов, DC-DC преобразователей, электроприводов и других приложений, требующих высокой эффективности и надежности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 60 А (при 25°C) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.065 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Энергия включения (E_on) | 1.8 мДж |
| Энергия выключения (E_off) | 2.4 мДж |
| Задержка включения (t_d(on)) | 22 нс |
| Задержка выключения (t_d(off)) | 90 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXGN60N60C2
• IXGN60N60C2D1 (полное обозначение)
• IXGN60N60 (базовая серия)

Совместимые/аналогичные модели

1. Infineon
   • IPW60R041C6 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.041 Ом)
   • IPW60R045C7 (600 В, 56 А, R_DS(on) = 0.045 Ом)
2. STMicroelectronics
   • STW60N60DM2 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.058 Ом)
   • STP60N60DM2 (аналог в корпусе TO-220)
3. ON Semiconductor
   • FCP60N60 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.065 Ом)
4. Vishay
   • IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный, но иногда используется в схожих схемах)

Примечание

При замене на аналог следует учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности схемы управления затвором.