IXYS IXGR32N60C

IXYS IXGR32N60C – Описание и технические характеристики

Описание

IXGR32N60C – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 600 В и током стока 32 А, разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и других мощных приложений. Применяется в:

• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Индукционном нагреве
• Управлении двигателями
• Солнечных инверторах
• Высоковольтных DC-DC преобразователях

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)) – всего 0.15 Ом (при 16 А, V_GS=10 В)
• Быстрое переключение – малые времена включения/выключения
• Высокая надежность – устойчивость к перегрузкам
• Корпус TO-247 – улучшенный теплоотвод

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|--------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 32 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.15 Ом (при V_GS=10 В, I_D=16 А) |
| Предельный импульсный ток (I_DM) | 128 А |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) |
| Время включения (t_d(on)) | 20 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Заряд затвора (Q_g) | 50 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXGR32N60B (аналогичные параметры, возможны небольшие отличия в R_DS(on))
• IXGR32N60A (более старая версия)
• IXGR32N60D (возможны улучшенные динамические характеристики)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IPA60R190P7 (600 В, 32 А, R_DS(on)=0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW32N60M2 (600 В, 32 А, R_DS(on)=0.19 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP32N60 (600 В, 32 А, R_DS(on)=0.19 Ом)
• Toshiba TK32J60W (600 В, 32 А, R_DS(on)=0.18 Ом)

При замене следует учитывать:

• Напряжение V_DSS и ток I_D
• Сопротивление R_DS(on) (чем меньше, тем лучше КПД)
• Заряд затвора Q_g (влияет на скорость переключения)

Вывод

IXGR32N60C – мощный MOSFET с отличными динамическими характеристиками, подходящий для высоковольтных преобразователей. При необходимости замены можно использовать аналоги от Infineon, STMicroelectronics или ON Semiconductor с близкими параметрами.

Если нужны более точные данные по конкретному аналогу, уточните условия эксплуатации (частота переключения, нагрузка и т. д.).