IXYS IXGR32N60CD1

Описание

IXYS IXGR32N60CD1 – это N-канальный MOSFET транзистор с технологией Trench и кремниевым карбидом (SiC), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент отличается низкими динамическими потерями, высокой скоростью переключения и высокой температурной стабильностью, что делает его идеальным для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (SiC) |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 32 А (при 25°C) |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.08 Ом (при V_GS = 20 В, I_D = 16 А) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) |
| Емкость затвора (C_iss) | 1800 пФ |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Температурный диапазон | -55°C ... +175°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXGR32N60C (более ранняя версия)
• IXGH32N60C (аналог с похожими характеристиками, но без SiC)
• IXGR32N60A (альтернатива с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IPA60R190E6 (600 В, 32 А)
• STMicroelectronics STW32N60DM2 (600 В, 32 А)
• ON Semiconductor FCH47N60F (600 В, 47 А)
• Cree/Wolfspeed C3M0065090D (SiC MOSFET, 900 В, 33 А)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• DC-DC преобразователи
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильные зарядные устройства

Этот транзистор обеспечивает высокую надежность и эффективность в высоковольтных схемах благодаря применению SiC-технологии.