IXYS Ixgt30n120b3d1

IXYS IXGT30N120B3D1 – это мощный IGBT-транзистор с кремниевой технологией, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT с диодом (с обратным диодом)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 60 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (при 30 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 250 нс
• Корпус: TO-247 (3 вывода)
• Диапазон температур: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

1. Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXGT30N120B3 (версия без встроенного диода)
• IXGT30N120C3 (модификация с улучшенными характеристиками)

2. Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IGW30N120H3
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N120ANTD
• Mitsubishi: CM30DY-24H

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение и ток для мощных приложений.
• Встроенный обратный диод для защиты от обратных токов.
• Быстрое переключение, подходит для высокочастотных схем.
• Корпус TO-247 обеспечивает эффективное охлаждение.

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные параметры (графики, точные значения), уточните!