IXYS IXTN22N100L

IXYS IXTN22N100L — это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии. Предназначен для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, моторах и других системах с высоким напряжением.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 1000 В | | Максимальный ток (I_D) | 22 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.28 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4.5 В (тип.) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Корпус | TO-264 (аналог TO-3P) | | Температура эксплуатации | от -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | 95 нКл (тип.) | | Время включения/выключения | t_d(on) = 30 нс, t_d(off) = 150 нс |

Парт-номера (аналоги и замены)

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXYS IXTN20N100D (20 А, 1000 В, R_DS(on) = 0.35 Ом)
• IXYS IXTN30N100 (30 А, 1000 В, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• Infineon IPA60R190P7 (600 В, 20 А, R_DS(on) = 0.19 Ом, Superjunction MOSFET)

Совместимые модели (схожие параметры):

• STMicroelectronics STW22NM100 (22 А, 1000 В, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP22N100 (22 А, 1000 В)
• Toshiba TK22A10W (22 А, 1000 В)

Применение

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование

Примечание: При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также корпус.