IXYS Ixxh80n65b4h1

Описание

IXYS IXXH80N65B4H1 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток 650 В и током стока до 80 А. Он разработан для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых приложений.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление канала (RDS(on) в открытом состоянии.
• Быстрое переключение благодаря низким зарядам затвора.
• Высокая устойчивость к лавинным процессам.
• Корпус TO-247, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение V_DS | 650 В | | Макс. ток I_D (при 25°C) | 80 А | | Импульсный ток I_DM | 320 А (ограниченный) | | Сопротивление R_DS(on) | 0.038 Ом (при V_GS=10 В) | | Напряжение затвора V_GS | ±30 В | | Мощность рассеяния P_D | 520 Вт (при 25°C) | | Заряд затвора Q_g | 145 нКл (тип.) | | Время включения t_d(on) | 14 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 70 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS IXXH80N65B4 (тот же чип, другой корпус или версия)
• IXFH80N65X2 (близкий аналог от IXYS)
• Infineon IPW90R065C7 (аналогичные характеристики)

Частично совместимые аналоги (требуется проверка схемы):

• STW80N65M5 (STMicroelectronics)
• IRFP4668PbF (Infineon, но с другими параметрами)
• FDPF80N65 (Fairchild/ON Semi)

Если требуется точная замена, необходимо учитывать параметры RDS(on), Qg и корпус.

Область применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи
• Устройства резервного питания (UPS)

Для уточнения совместимости в конкретной схеме рекомендуется сверяться с даташитами производителей.