IXYS IXXN200N60B3H1

Описание и технические характеристики IXYS IXXN200N60B3H1

IXXN200N60B3H1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 600 В и током стока 200 А. Устройство предназначено для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, системы управления двигателями и промышленная электроника.

Транзистор обладает низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)), что минимизирует потери мощности и повышает эффективность. Корпус TO-264 обеспечивает хороший теплоотвод и механическую прочность.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 600 В | | Макс. ток стока (ID) | 200 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.028 Ом (при VGS = 15 В) | | Макс. мощность рассеивания (PD) | 500 Вт | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 4 В (тип.) | | Время включения/выключения (ton/toff) | 48 нс / 130 нс | | Корпус | TO-264 (3-выводной) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номер (альтернативные обозначения)

• IXXN200N60B3 (базовая версия без "H1")
• IXFN200N60 (аналогичная серия, но в другом корпусе)

Совместимые / аналогичные модели

1. Infineon IPAW60R190CE (600 В, 180 А, TO-247)
2. STMicroelectronics STW88N65M5 (650 В, 88 А, TO-247)
3. ON Semiconductor NTP100N60S3 (600 В, 100 А, TO-247)
4. Vishay IRFP4568PBF (500 В, 180 А, TO-247AC)
5. IXYS IXTH200N10T (100 В, 200 А, TO-264)

Применение:

• Высоковольтные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Промышленные преобразователи частоты
• Сварочное оборудование

Если требуется более высокая мощность или другие параметры, можно рассмотреть аналоги в корпусах TO-247 или TO-268.